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第一章：器件選型與替換的基本問(wèn)題

1.1、器件替換常見問(wèn)題現(xiàn)象

1.1.1、原來(lái)正常工作的產(chǎn)品在器件替換后不能工作或性能降低

1.1.2、器件替換后，批次不良率數(shù)據(jù)變差

1.1.3、初次選型或替換時(shí)需要關(guān)注的故障誘發(fā)指標(biāo)參數(shù)有哪些

1.1.4、如上問(wèn)題的成因機(jī)理、分析方法

1.2、器件選型與替換技術(shù)分析要素

1.2.1、封裝帶來(lái)的問(wèn)題

1.2.2、內(nèi)部結(jié)構(gòu)和材質(zhì)帶來(lái)的問(wèn)題

1.2.3、制造工藝帶來(lái)的使用性問(wèn)題

1.2.4、內(nèi)部電路不同帶來(lái)的參數(shù)差異

----相同功能器件的內(nèi)部拓?fù)鋱D對(duì)比、接口特性差異分析

1.2.5、批次質(zhì)量水平一致性評(píng)價(jià)方法

----以TVS、MOS管為例說(shuō)明一致性指標(biāo)的選擇、統(tǒng)計(jì)分布圖特征與隱含問(wèn)題

1.2.6、有益參數(shù)和有害參數(shù)識(shí)別

----以電容、運(yùn)放為例說(shuō)明在不同電路中的有益有害指標(biāo)識(shí)別方法

1.2.7、器件應(yīng)用前后級(jí)匹配選型設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

----阻抗匹配原理，以數(shù)字芯片數(shù)據(jù)接口和模擬放大電路信號(hào)采集端口為例

第二章：導(dǎo)致器件故障的應(yīng)力類型與場(chǎng)合

2.1、瞬態(tài)EOS與累積性EOS

----EOS成因、損傷特征、瞬態(tài)/累積性EOS特征對(duì)比、解決措施

2.2、溫度與溫度沖擊

----器件受溫度和溫度沖擊應(yīng)力的影響部位和機(jī)理，故障特征

2.3、閂鎖

----CMOS類IC的閂鎖失效機(jī)理、測(cè)試方法、故障特征、解決措施

2.4、熱損傷

----成因（瞬態(tài)過(guò)流、持續(xù)過(guò)流、負(fù)荷特性曲線超標(biāo)）、損傷特征、解決措施

2.5、力學(xué)損傷

----溫度/溫度沖擊/振動(dòng)導(dǎo)致的力學(xué)損傷機(jī)理、損傷特征解決措施

2.6、MSD

----潮敏器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，失效的特征、機(jī)理、解決措施

2.7、潮濕與腐蝕

----腐蝕的機(jī)理，故障特征、解決措施

2.8、VP 與 ESD

----尖峰電壓的產(chǎn)生場(chǎng)合，損傷特征、解決措施

2.9、過(guò)渡過(guò)程

----過(guò)渡過(guò)程對(duì)能量接口和數(shù)據(jù)接口的不同影響分析、過(guò)渡過(guò)程超調(diào)和振蕩的產(chǎn)

生場(chǎng)合、解決措施

2.10、熱插拔

----熱插拔的發(fā)生場(chǎng)合、損傷特征、解決措施

2.11、接地不良

----接地不良引起器件故障的發(fā)生機(jī)理、解決措施

2.12、設(shè)備互聯(lián)匹配問(wèn)題

2.13、電感瞬態(tài)過(guò)程

----反向電動(dòng)勢(shì)的影響、解決措施

2.14、電容瞬態(tài)過(guò)程

2.15、時(shí)間應(yīng)力自然老化

2.16、氣壓?jiǎn)栴}

----安規(guī)、高壓、發(fā)熱、密封器件的壓差作用機(jī)理

第三章：選型認(rèn)證與替換方法、入廠篩選和壽命終止極限判定

3.1、分立元件

----電阻、電容、電感、磁珠、導(dǎo)線的篩選指標(biāo)、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)

3.2、保護(hù)類器件

----保險(xiǎn)絲/TVS/MOV/壓敏電阻/GDT/NTC電阻/PTC電阻的篩選指標(biāo)、

質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)

3.3、模擬類IC類器件

----運(yùn)放、ADDA、LDO的篩選指標(biāo)、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)

3.4、接口器件

----光耦隔離電路、CAN總線、485總線、模擬信號(hào)傳輸接口電路的篩選指標(biāo)、

質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)

3.5、二極管三極管

----篩選指標(biāo)、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)

3.6、功率開關(guān)器件

----MOSFET/IGBT/功率三極管/繼電器的篩選指標(biāo)、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)

3.7、按鍵

3.8、線纜接插件

----篩選指標(biāo)、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)

3.9、數(shù)字類IC器件

----MCU、存儲(chǔ)芯片、邏輯門電路的篩選指標(biāo)、質(zhì)控條件判據(jù)、壽命終止判據(jù)

第四章：器件失效分析方法

4.1、目測(cè)與鏡檢

4.2、參數(shù)統(tǒng)計(jì)分析方法

4.3、IV曲線

4.4、DPA

4.5、X光

4.6、失效特征示例和失效特征判別方法

----以IC芯片、電阻、電容、二極管三極管、保護(hù)器件為例分別展開

武老師

武曄卿 研究員

對(duì)航天武器系統(tǒng)研制質(zhì)量控制、和可靠性技術(shù)及方法有逾25年的研究、運(yùn)行管理實(shí)踐職業(yè)經(jīng)歷。目前任瑞迪航科（北京）技術(shù)有限公司總經(jīng)理、兼任北京航天益來(lái)電子科技有限公司（航天三院）副總工、航天科工世紀(jì)衛(wèi)星技術(shù)有限公司（科工一院）可靠性技術(shù)總師。曾任職于航天第四總體設(shè)計(jì)部主任設(shè)計(jì)師、某軍工高校兼職研究員

并曾為航天、航空、兵器、中電、GE中國(guó)研發(fā)中心、Motorola、ABB、海信、BYD、理想汽車、上汽等多行業(yè)的幾百家客戶提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)。

出版《嵌入式系統(tǒng)可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)及案例解析》（北航出版社）、《電路設(shè)計(jì)工程計(jì)算基礎(chǔ)》（電子出版社）。

航天質(zhì)量控制典型措施（示例）

序號(hào)措施

1.項(xiàng)目的指揮線、技術(shù)線并行機(jī)制

2.總體所與專業(yè)所的配置

3.質(zhì)量問(wèn)題的歸零管理（技術(shù)歸零、管理歸零）

4.質(zhì)量師制度

5.研制過(guò)程七性專題管理

6.改變=不可靠，型號(hào)一旦經(jīng)過(guò)MCSD四個(gè)階段定型后，對(duì)工藝穩(wěn)定性的要求堪稱苛刻，從輔材、場(chǎng)地、工具、工藝工序、甚至關(guān)鍵人員都要求不能變

7.器件的全篩選

8.大量的公開、半公開、不公開配套標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范（GJB、QJ、QWE...）

9.... ...

10.統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制的運(yùn)用較差

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